Китайская CXMT освоила пробный выпуск восьмислойной памяти HBM3, но пригодным оказывается примерно каждый четвёртый готовый стек. Такую оценку приводит ChosunBiz со ссылкой на руководителя компании — поставщика оборудования и данные аналитической фирмы Nomad Semi. Сама CXMT показатель не публиковала, поэтому цифру нельзя считать официальной отчётностью производителя.
Фраза «до 80% брака» звучит эффектно, но скрывает два разных этапа. По сведениям источника ChosunBiz, после изготовления кристаллов проходит около 30% продукции. На последующей сборке и проверке годными признают примерно 70% от уже отобранных изделий. Простое перемножение даёт около 21%, тогда как собеседники издания округляют общий выход до 25%.
Показанный модуль изготовлен Samsung и служит примером конструкции HBM из нескольких слоёв. Это не образец CXMT. Изображение: Samsung Electronics.
HBM сложнее обычной оперативной памяти не столько отдельным кристаллом, сколько сборкой. Несколько тонких слоёв DRAM устанавливают друг над другом и соединяют вертикальными проводниками TSV — микроскопическими каналами, которые проходят через кремний. Рядом располагается базовый кристалл, управляющий обменом данными с ускорителем.
Такая компоновка даёт очень широкую шину и высокую пропускную способность при небольшом расстоянии между памятью и вычислительным чипом. Именно поэтому HBM используют рядом с ускорителями для обучения и запуска нейросетей. Цена компактности — сложное производство: ошибка позиционирования, дефект контакта, пустота в соединительном материале или изгиб тонкого слоя могут испортить весь собранный стек.
Справа показаны вертикальные соединения TSV, проходящие через несколько слоёв памяти. Схема: Samsung Electronics.
По оценке Nomad Semi, в одном кристалле HBM3 CXMT используется около 3000 TSV. Для сравнения аналитики приводят более 5000 соединений в Samsung HBM2 и свыше 8000 в SK hynix HBM3. Эти числа нельзя читать как прямой рейтинг скорости: сравниваются продукты разных поколений и конструкции разных компаний. Но меньшая плотность соединений показывает, что CXMT пока выбрала более простую реализацию, а не повторила устройство лидеров рынка.
ChosunBiz пишет, что базовые кристаллы CXMT выпускаются по 17-нм процессу G4 и что главные потери возникают при подготовке кристаллов для HBM, их укладке и соединении. Небольшие партии образцов якобы уже передаются китайским разработчикам ускорителей, среди которых названы T-Head и Cambricon. Эти поставки тоже подтверждены только источниками издания.
Сравнение с давно выпускаемой HBM3 требует осторожности. SK hynix начала серийный выпуск этого поколения в 2022 году и успела отладить процесс, тогда как CXMT находится на стадии пробных партий. Даже опытные производители теряют выход годных при переходе на более высокие стеки и новую упаковку. Низкий стартовый показатель говорит о дорогом производстве сейчас, но не позволяет предсказать, каким он будет через год.
Контекст тоже важен: в июльских документах перед размещением акций CXMT не выделила отдельную крупную программу инвестиций в HBM. Аналитики оценивали её мощности под такую память как небольшую долю от общего производства DRAM. Поэтому компания пока способна нарабатывать технологию и отправлять образцы, но о конкурентных массовых поставках HBM3 за пределами Китая оснований говорить нет.
